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IRF7707 | Power MOSFET(Vdss=-20V) Description HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an ext 文件：154.25 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
HEXFET? Power MOSFET Description HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：145.76 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
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Ultra Low On-Resistance 文件：242.14 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF |
詳細參數(shù)
- 型號：
IRF7707
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TSSOP-8 |
16000 |
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詢價 | ||
IOR |
25+23+ |
TSSOP8 |
30101 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
SO-8 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TSSOP-8 |
32500 |
普通 |
詢價 | ||
INFINEON |
25+ |
SSOP-8 |
3000 |
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詢價 | ||
IR |
1923+ |
TSSOP8 |
12000 |
原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價 | ||
IR |
25+ |
TSSOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8TSSOP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
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