| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7601TR | Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：119.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
HEXFET Power MOSFET 文件：81.15 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
SAW Filter Electrical Characteristic 文件：105.05 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SIPAT 勝普電子 | SIPAT | ||
SAW Filter Electrical Characteristic 文件：105.81 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SIPAT 勝普電子 | SIPAT |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
IRF7601TR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TSSOP8 |
2500 |
強(qiáng)調(diào)現(xiàn)貨,隨時查詢! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
3 |
詢價 | |||
IOR |
23+ |
MSOP8 |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
IR |
20+ |
SSOP-8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
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65300 |
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MSOP-8 |
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IR |
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SSOP-8 |
10000 |
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Infineon |
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NA |
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IR |
23+ |
MSOP8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
MSOP8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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