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IRF7425	文件：91.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：91.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425	文件：94.54 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These P-Channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：94.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封裝的 IR MOSFET -20 V \n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳\n? P 通道MOSFET;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF7425PBF	文件：152.29 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：152.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425PBF	文件：157.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：157.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425-SMD	文件：124.19 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET These P-Channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. T 文件：124.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	SYC	SYC
IRF7425TR	文件：94.54 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These P-Channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：94.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425TRPBF	文件：157.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：157.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425PBF	文件：198.01 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：198.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425PBF_15	文件：198.01 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：198.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRF7425TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-20 V
RDS (on) @4.5V max：
8.2 m?
ID @25°C max：
-15 A
QG typ @4.5V：
87 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-0.45 V
VGS(th) max：
-1.2 V
VGS(th)：
-0.83 V
Technology：
IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF7425	INFINEON/英飛凌	25+	SO-8	20300	INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)IRF7425即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多IRF7425供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 11:49:00

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