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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7316PBF | HEXFET?Power MOSFET 文件：203.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | |
IRF7316PBF | Generation V Technology 文件：209.43 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | |
IRF7316PBF | GENERATION V TECHNOLOGY 文件：209.43 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | |
GENERATION V TECHNOLOGY 文件：209.43 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | ||
-30V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝 | Infineon 英飛凌 | Infineon |
技術(shù)參數(shù)
- VDS?max：
-30.0V
- RDS (on)(@10V)?max：
58.0m?
- RDS (on)?max：
58.0m?
- RDS (on)(@4.5V)?max：
98.0m?
- Polarity?：
P+P
- ID (@ TA=25°C)?max：
-4.9A
- ID (@ TA=70°C)?max：
-3.9A
- Ptot(@ TA=25°C)?max：
2.0W
- QG?：
23.0nC?
- Moisture Sensitivity Level?：
1
- RthJA?max：
62.5K/W
- VGS?max：
20.0V
- Tj?max：
150.0°C
- Qgd(typ)?：
5.9nC?
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
B |
23+ |
SOP-8 |
8650 |
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詢價 | ||
International Rectifier |
2022+ |
825 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
65230 |
詢價 | ||||
IR |
23+ |
SOIC8 |
2085 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價 | ||
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2447 |
NA |
100500 |
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INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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詢價 | ||
IR |
25+ |
SOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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更新時間2026-1-20 13:00:00
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- MAX2320
- MAX232E-TD
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- SI7964DP
- SI7909DN
- SI7941DP
- SI7901EDN
- SI7940DP
- SI7956DP
- SI7980DP
- SI7902EDN
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- SI7960DP
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- SI7970DP
- SI7958DP
- SI7913DN
- SI7942DP
- SI7911DN
- SI7900EDN
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- SI7946ADP
- SE1
- PI7C8150B
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- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
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- TD62308APG
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