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IRF730F	文件：365.66 Kbytes Page：6 Pages	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION ? IRF730 is 400V High voltage N-Channel enhancement mode power MOS-FET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology; ? Advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability; ? Avalanche Energy Specified; ? Source-to-Drain Diode Recov 文件：365.66 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FS	FS
IRF730FI	文件：65.269 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Drain Current –ID=3.5A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.0Ω(Max) ? Fast Switching Speed APPLICATIONS ? Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power su 文件：65.269 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRF730FP	文件：451.94 Kbytes Page：3 Pages	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET 文件：451.94 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FCI 富加宜	FCI
IRF730F1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R	NJS	NJS
IRF730FP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet	FCI 富加宜	FCI

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更多IRF730F供應(yīng)商更新時間2026-1-22 22:58:00