| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7102 | HEXFET? Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known fo 文件：350.86 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | IRF | IRF | |
IRF7102 | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT (DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE) DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE 文件：360.35 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | KEC KEC(Korea Electronics) | KEC | ||
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7060X5 Series 400/800G Data Center Switches 文件：3.90597 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages | ARISTA | ARISTA |
技術參數(shù)
- FET 功能：
標準
- 漏源電壓（Vdss）：
50V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
2A
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
300 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
6.6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
120pF @ 25V
- 功率 - 最大值：
2W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154\，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：
8-SO
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2025+ |
SOP |
5000 |
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詢價 | ||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
4228 |
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詢價 | ||
IRF |
24+ |
SOP-8P |
6 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IOR |
23+ |
SO-8 |
7000 |
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IR |
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SOP-8 |
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IOR |
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PLCC |
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原廠直接發(fā)貨進口原裝 |
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NA |
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IR |
23+ |
SOP8 |
65480 |
詢價 |
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