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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF442	文件：137.56 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low Boston) at high voltage ? Improved Inductive ruggedness ? Excellent high voltage stability ? Fast switching times ? Rugged polyslllcon gate cell structure ? Low Input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability ? TO-3 package (High vol 文件：137.56 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
IRF442	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers. ● VGS Rated at ±20V ● Silicon Gate for Fast Switching Spe 文件：271.96 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
IRF442	文件：150.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed sepecially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers. 文件：150.37 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRF442	文件：211.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low Boston) at high voltage ? Improved Inductive ruggedness ? Excellent high voltage stability ? Fast switching times ? Rugged polyslllcon gate cell structure ? Low Input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability ? TO-3 package (High vol 文件：211.25 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF442	文件：49.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：49.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRF442	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
IRF442R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS

技術(shù)參數(shù)

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
125000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
7A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF442	IR	24+	TO-3	10000		詢價
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	IRF442	IR	2015+	TO-3(鐵帽)	19889	一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!	詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	IRF442	UNMARKED	新		25	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRF442	IR	專業(yè)鐵帽	TO-3	500	原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF442	IR	專業(yè)鐵帽	TO-3	67500	鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票	詢價
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更多IRF442供應(yīng)商更新時間2026-1-20 10:50:00

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