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IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 23m? ID = 57A Description Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desig 文件：185.06 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET 文件：1.6614 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	THINKISEMI 思祁半導(dǎo)體	THINKISEMI
IRF3710PBF_15	文件：224.46 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：224.46 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF3710PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	場效應(yīng)管	HXY MOSFET 華軒陽電子	HXY MOSFET

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