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IRF3205DD	文件：543.27 Kbytes Page：2 Pages	N -Channel Power MOSFET (55V/110A) 文件：543.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
IRF3205DD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS FET:Low Voltage	First Silicon	First Silicon
IRF3205L	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? VDSS= 55V RDS(on)= 8.0m? ID= 110A? Description Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design 文件：160.74 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF3205L	文件：609.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：609.74 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF3205L	文件：618.88 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：618.88 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF3205H	IR	23+	TO263	28888	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF3205L	IR	24+	TO-262	8866		詢價
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更多IRF3205DD供應(yīng)商更新時間2026-1-20 16:17:00