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首頁(yè) >IRF200>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF200S234	文件：244.15 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IRF200P222	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-247AC 封裝的 200V 單 N 通道 StrongIRFET ? \n優(yōu)勢(shì):\nImproved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Lead-Free, RoHS Compliant;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF200P223	文件：300 bytes Page：1 Pages	IR MOSFET - 200V Single N-Channel StrongIRFET? in a TO-247AC package \n優(yōu)勢(shì):\nImproved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Lead-Free, RoHS Compliant;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF200S234	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封裝的 200V 單 N 通道 StrongIRFET ?功率 MOSFET \n優(yōu)勢(shì):\n? 改善柵極, 雪崩以及動(dòng)態(tài) dv/dt? 堅(jiān)固性\n? 經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的電容和雪崩安全工作區(qū)（ SOA）\n? 增強(qiáng)的體二極管 dv/dt 和 di/dt? 能力\n? 無(wú)鉛，符合 RoHS；無(wú)鹵素\n?;	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRF200B211
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
170 m?
ID @25°C max：
12 A
QG typ @10V：
15.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4.9 V
VGS(th)：
3.95 V
Technology：
StrongIRFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市鵬和科技有限公司	IRF2001	IR	24+	SMD-8	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IRF200供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 10:20:00

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