SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER

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IRF

600 V 半橋柵極驅(qū)動器 IC，帶振蕩器、集成自舉 FET、可編程頻率和可編程關(guān)斷

Self-Oscillating 600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.18 A source and 0.26 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. ? Integrated 600 V half-bridge gate driver\n? 15.6 V zener clamp on Vcc\n? True micropower start up\n? Tighter initial deadtime control\n? Low temperature coefficient deadtime\n? Shutdown feature (1/6th Vcc) on CT pin\n? Increased undervoltage lockout Hysteresis (1 V)\n? Lower power level-shifting c;

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半橋驅(qū)動器 LO 與 RT 同相，具有可編程振蕩頻率，死區(qū)時間為 0.6μs，采用 8 引腳 SOIC 封裝，并且具有不同相位

自激振蕩 600 V 半橋驅(qū)動器 IC,具有典型的 0.18 A 拉電流和 0.26 A 灌電流，采用 8 引腳 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引腳 PDIP 封裝可選。 ? 集成 600 V 半橋柵極驅(qū)動器\n? Vcc 上的 15.6 V 齊納箝位\n? 真正的微功耗啟動\n? 更嚴格的初始死區(qū)時間控制\n? 低溫系數(shù)下的死區(qū)時間\n? CT 引腳上的關(guān)斷特性 (1/6th Vcc)\n? 增加欠壓鎖定遲滯 (1 V)\n? 較低功耗的電平移位電路\n? 啟動時的恒定 LO、HO 脈沖寬度\n? 較低的 di/dt 柵極驅(qū)動器可獲得更好的抗噪聲性\n? 高邊輸出與 RT 同相\n? 所有輸入和輸出均具有出色的鎖定抗擾度\n? 所有引腳上均具有 ESd 保護\n\n優(yōu)勢:\n? 集成 600V 半橋柵極驅(qū)動器\n? Vcc 上的 15.6V 齊納箝位\n? 真;

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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