650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET，集成快速體二極管采用 TO-247 4 引腳封裝

英飛凌的 650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET IPZA65R029CFD7 采用 TO-247 4 引腳封裝，非常適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓撲，例如服務(wù)器、電信、太陽能和電動汽車充電站，與競爭對手相比，它可以顯著提高效率。作為 CFD2 SJ MOSFET 系列的后續(xù)產(chǎn)品，它具有降低的柵極電荷、改善的關(guān)斷行為和降低的反向恢復電荷，可實現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。 ? CoolMOS ? 7 系列\(zhòng)n? 低存儲能量 COSS\n? 經(jīng)過現(xiàn)場驗證的 CoolMOS ?質(zhì)量\n? 自 1998 年以來的 CoolMOS ?;

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絲?。?strong>IPZA65R029CFD7；Package：PG-TO247-4-3；650V CoolMOS? CFD7 SJ Power Device

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650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device

Features ? Ultra-fast body diode ? 650V break down voltage ? Best-in-class RDS(on) ? Reduced switching losses ? Low RDS(on) dependency over temperature Benefits ? Excellent hard commutation ruggedness ? Extra safety margin for designs with increased bus voltage ? Enabling increased powe

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MOSFET 650V CoolMOSa CFD7A SJ Power Device

Features ? Latest 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market featuring ultra low Qrr ? Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss ? 100% avalanche tested ? Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages Benefits ? Lower switching losses enabling high

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650V CoolMOS? CFD7 SJ Power Device

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