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首頁 >IPW65R190E6>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPW65R190E6	文件：2.2177 Mbytes Page：19 Pages	650V CoolMOS??E6 Power Transistor Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS? E6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered de 文件：2.2177 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPW65R190E6	文件：335.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Fast Switching ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤190m? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPW65R190E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET CoolMOS? C6/E6系列將 Infineon 作為領(lǐng)先的SJ MOSFET供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)與一流的創(chuàng)新相結(jié)合。這些器件提供了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。極低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗使開關(guān)應(yīng)用更加高效、緊湊、輕巧且散熱性更好。600V CoolMOS ? E6 可替代 600V CoolMOS ? C3。650V CoolMOS ? E6 可替代 650V CoolMOS ? C3。 ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于品質(zhì)因數(shù) (R DS(ON)*Q g) 和 E oss) 非常低，損耗也極低\n? 與 C3 相比，輕載效率更高\(yùn)n? 與前幾代 CoolMOS ?相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、更輕便、更散熱;	Infineon 英飛凌	Infineon
IIPP65R190E6	文件：338.41 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRIPTION ? Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.19? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device 文件：338.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IIPW65R190E6	文件：335.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Fast Switching ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤190m? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPA65R190E6	文件：316.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ? FEATURES ? With TO-220F packaging ? High speed switching ? Very high commutation ruggedness ? Easy to use ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ? APPLICATIONS ? PFC stages, hard switching PWM stages and resonant s 文件：316.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

ID max：
20.2 A
IDpulsmax：
66 A
Ptotmax：
151 W
QG：
73 nC
QG(typ @10V)：
73 nC
RDS (on)max：
190 m?
RDS (on)(@10V) max：
190 m?
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
0.83 K/W
Rth：
0.83 K/W
VDSmax：
650 V
VGS(th)：
2.5 V to 3.5 V
Mounting：
THT
Package：
TO-247
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IPW65R190E6	Infineon	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IPW65R190E6	INFINEON/英飛凌	23+	TO-247	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IPW65R190E6	INFINEON	25+	TO-247	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IPW65R190E6	INFINEON/英飛凌	23+	QFN	3000	一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	IPW65R190E6	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7000	原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	IPW65R190E6	INFINEON		原廠封裝	1000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	IPW65R190E6	INFINEON/英飛凌	2023+	TO-247	252	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳航星空電子技術(shù)有限公司	IPW65R190E6	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7000	公司只做原裝，可來電咨詢	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IPW65R190E6	ADI	23+	TO-247	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市睿芯銘科技有限公司	IPW65R190E6	Infineon(英飛凌)	2021/2022+		7000	原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)

更多IPW65R190E6供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:16:00

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