N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=24A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 95mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Fast Switching

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無錫固電

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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N-Channel MOSFET Transistor

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無錫固電

500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET

英飛凌的 CoolMOS? C7 超結 MOSFET 系列是技術的一次突破性進步，在全球范圍內實現(xiàn)了低 RDS(on)/封裝，并且得益于其低開關損耗，可在全負載范圍內提高效率。 ? 650V 電壓\n? 具有突破性且出色的R DS(on)/封裝\n? 減少儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 低柵極電荷Qg\n? 通過使用更小的封裝或減少零部件節(jié)省空間\n? 在超結技術領域擁有 12 年的制造經驗\n\n優(yōu)勢:\n? 提高安全裕度，適用于 SMPS 和太陽能逆變器應用\n? 低通態(tài)損耗/小封裝\n? 低開關損耗\n? 提高輕載效率\n? 增加功率密度\n? 出色的CoolMOS?質量;

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