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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPW65R080CFDA	文件：1.11609 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS? CFD series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resu 文件：1.11609 Mbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPW65R080CFDA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽車(chē)級(jí)MOSFET 650V CoolMOS? CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS? power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS? CFDA series provide ? First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market\n? Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt\n? Low gate charge value Q g\n? Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss\n? Reduced turn on and turn of ;	Infineon 英飛凌	Infineon
TPV65R080C	文件：692.36 Kbytes Page：8 Pages	650V Super-Junction Power MOSFET 文件：692.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	WUMC 紫光國(guó)微	WUMC
TPW65R080C	文件：692.36 Kbytes Page：8 Pages	650V Super-Junction Power MOSFET 文件：692.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	WUMC 紫光國(guó)微	WUMC

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPW65R080CFDAFKSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TO247-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
80 m?
ID @25°C max：
43.3 A
QG typ @10V：
161 nC
Special Features：
automotive
Polarity：
N
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
Technology：
CoolMOS? CFDA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市賽特興科技有限公司	IPW65R080CFDA	INFINEON	23+	N/A	10000	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IPW65R080CFDA	INFINEON/英飛凌	25+	TO-247	32360	INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IPW65R080CFDA即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多IPW65R080CFDA供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:02:00

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