N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? Fast Switching ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤180m? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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CoolMOS ? C7 超結(jié) MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓撲中提供一流的性能

600V CoolMOS? C7 超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可減少大約 50% 的關(guān)斷損耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中可提供卓越的性能。\n CoolMOS? C7 提供的更高效率有益于效率和總體擁有成本（TCO）應(yīng)用，如超數(shù)據(jù)中心和高效率電信整流器（>96%）。在 PFC 拓撲結(jié)構(gòu)中，可獲得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓撲結(jié)構(gòu)中，可獲得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服務(wù)器 PSU，在 TO-247 4 針套件內(nèi)采用 600V CoolMOS? ? 開關(guān)損耗參數(shù)減少，如 Q G、C oss、E oss\n? 最佳品質(zhì)因數(shù) Q G*R DS(on)\n? 開關(guān)頻率增加\n? 世界上最佳的 R (on)*A\n? 堅固體二極管\n\n優(yōu)勢:\n? 可在不損失效率的情況下增加開關(guān)頻率\n? 為輕負載和滿載效率測量顯示關(guān)鍵參數(shù)\n? 開關(guān)頻率加倍會將磁性元件的尺寸減半\n? 對于相同的 R DS(on)，包裝更小\n? 可用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中的更多位置;

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