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    IPU60R2K1CE

    600V CoolMOS? CE Power Transistor

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    INFINEON

    英飛凌

    IPU60R2K1CE

    600V CoolMOS? CE Power Transistor

    文件:1.26906 Mbytes 頁數(shù):14 Pages

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    600V CoolMOS? CE Power Transistor

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    IPU60R2K1CE

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ipak/marking.html">IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:247.81 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    ISC

    無錫固電

    IPU60R2K1CE_16

    600V CoolMOS? CE Power Transistor

    文件:1.26906 Mbytes 頁數(shù):14 Pages

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    IPU60R2K1CE

    500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

    CoolMOS?CE適用于硬開關(guān)應(yīng)用和軟開關(guān)應(yīng)用,作為現(xiàn)代超結(jié),它可以提供低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗,進(jìn)而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結(jié)合了最佳的 RDS (on)和封裝,適用于手機(jī)和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好,反向恢復(fù)電荷(Q rr)較低\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關(guān)損耗\n? 兼適于硬開關(guān)和軟開關(guān)\n? 易掌控的轉(zhuǎn)換行為\n? 提高效率,進(jìn)而降低功耗\n? 減輕設(shè)計工作量\n? 使用簡便;

    Infineon

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    技術(shù)參數(shù)

    • OPN:

      IPU60R2K1CEAKMA1

    • Qualification:

      Non-Automotive

    • Package name:

      PG-TO251-3

    • VDS max:

      600 V

    • RDS (on) @10V max:

      2100 m?

    • ID @25°C max:

      3.7 A

    • QG typ @10V:

      6.7 nC

    • Special Features:

      price/performance

    • Polarity:

      N

    • Operating Temperature min:

      -40 °C

    • Operating Temperature max:

      150 °C

    • VGS(th) min:

      2.5 V

    • VGS(th) max:

      3.5 V

    • Technology:

      CoolMOS? CE

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IPU60R2K1CE供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 14:14:00

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