絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/60s1k0ce/marking.html">60S1K0CE；Package：PG-TO251；600V CoolMOS? CE Power Transistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse/drive ?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforstandardgradeapplications

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600V CoolMOS? CE Power Transistor

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ipak/marking.html">IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET

CoolMOS?CE適用于硬開關應用和軟開關應用，作為現(xiàn)代超結，它可以提供低導通和低開關損耗，進而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結合了最佳的 RDS （on）和封裝，適用于手機和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS （on） 和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好，反向恢復電荷（Q rr）較低\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關損耗\n? 兼適于硬開關和軟開關\n? 易掌控的轉換行為\n? 提高效率，進而降低功耗\n? 減輕設計工作量\n? 使用簡便;

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