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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPU50R2K0CE	文件：1.16499 Mbytes Page：2 Pages	500V CoolMOS??CE Power MOSFET 500V CoolMOS? CE Power MOSFET The CoolMOS? CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas 文件：1.16499 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPU50R2K0CE	文件：1.64207 Mbytes Page：14 Pages	500V CoolMOS? CE Power Transistor 500V CoolMOS? CE Power MOSFET The CoolMOS? CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas 文件：1.64207 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPU50R2K0CE	文件：246.86 Kbytes Page：2 Pages	絲印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：246.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPU50R2K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET 500V CoolMOS ? CE 是一個(gè)性價(jià)比優(yōu)化的平臺(tái)，能夠滿足消費(fèi)和照明市場中成本敏感的應(yīng)用，同時(shí)仍能滿足最高的效率標(biāo)準(zhǔn)。新系列具有快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性，并提供了市場上最佳的成本性能比。 ? 降低輸出電容中存儲(chǔ)的能量 (E oss)\n? 高體二極管耐用性\n? 降低反向恢復(fù)電荷 (Q rr )\n? 減少柵極電荷 (Q g );	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

ID max：
2.4 A
IDpulsmax：
6.1 A
Ptotmax：
22 W
QG：
6 nC
QG(typ @10V)：
6 nC
RDS (on)max：
2000 m?
RDS (on)(@10V) max：
2000 m?
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
5.7 K/W
Rth：
5.7 K/W
VDSmax：
500 V
VGS(th)：
2.5 V to 3.5 V
Mounting：
THT
Package：
IPAK (TO-251)
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IPU50R2K0CE	Infineon	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多IPU50R2K0CE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:01:00

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