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IPU09N03LAG	文件：403.6 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor Features ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target application ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：403.6 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPU09N03LBG	文件：343.23 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：343.23 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
P09N03BDC	文件：1.01773 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01773 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
P09N03BDG	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01774 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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