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IPSA70R600CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	適用于消費電子和照明應(yīng)用的最佳性價比超結(jié) MOSFET CoolMOS? CE是英飛凌市場領(lǐng)先的高壓功率 MOSFET 的一個技術(shù)平臺，根據(jù)超結(jié)原理（SJ）設(shè)計，旨在滿足消費者的要求。隨著系列的擴(kuò)展，英飛凌現(xiàn)推出500 V、600 V、650 V、700 V 和 800 V器件，適用于移動設(shè)備和電動工具、液晶顯示器、LED電視、和LED照明應(yīng)用的低功率充電器。 ? 熱行為\n? 設(shè)備上≤ 90°C，打開外殼\n? ≤ 50°C/70°C 關(guān)閉外殼溫度\n? EMI 符合 EN55022B 標(biāo)準(zhǔn)\n? 易于使用且設(shè)計快速;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPSA70R600CE	文件：1.16077 Mbytes Page：14 Pages	700V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.16077 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
MMD70R600P	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1747 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD70R600P	文件：271.36 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.36 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MMD70R600PRH	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1747 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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