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IPS65R1K5CE	文件：1.77696 Mbytes Page：15 Pages	650V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.77696 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPS65R1K5CE	文件：1.16115 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.16115 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPS65R1K5CE_16	文件：1.16115 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.16115 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPS65R1K5CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET CoolMOS?CE適用于硬開關(guān)應(yīng)用和軟開關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它可以提供低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗，進而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結(jié)合了最佳的 RDS （on）和封裝，適用于手機和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS （on）和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好，反向恢復(fù)電荷（Q rr）較低\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關(guān)損耗\n? 兼適于硬開關(guān)和軟開關(guān)\n? 易掌控的轉(zhuǎn)換行為\n? 提高效率，進而降低功耗\n? 減輕設(shè)計工作量\n? 使用簡便;	Infineon 英飛凌	Infineon

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