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|---|---|---|---|---|
IPS60R460CE | 500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET CoolMOS?CE適用于硬開關應用和軟開關應用,作為現(xiàn)代超結,它可以提供低導通和低開關損耗,進而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結合了最佳的 RDS (on)和封裝,適用于手機和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好,反向恢復電荷(Q rr)較低\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關損耗\n? 兼適于硬開關和軟開關\n? 易掌控的轉換行為\n? 提高效率,進而降低功耗\n? 減輕設計工作量\n? 使用簡便; | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
IPS60R460CE | 600V CoolMOS? CE Power Transistor 文件:1.00301 Mbytes 頁數(shù):14 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
600V N-Channel MOSFET 文件:849.78 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半導體深圳市美浦森半導體有限公司 | MAPLESMI | ||
600V N-Channel MOSFET 文件:849.78 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半導體深圳市美浦森半導體有限公司 | MAPLESMI |
技術參數(shù)
- Package?:
IPAK SL (TO-251 SL)
- VDS?max:
600.0V
- RDS (on)?max:
460.0m?
- Polarity?:
N
- ID ?max:
13.1A
- Ptot?max:
102.0W
- IDpuls?max:
26.0A
- VGS(th)?min?max:
2.5V?3.5V
- QG?:
28.0nC?
- Rth?:
1.22K/W?
- RthJC?max:
1.22K/W
- RthJA?max:
62.0K/W
- Operating Temperature?min?max:
-40.0°C?150.0°C
- Pin Count?:
3.0Pins?
- Mounting?:
THT
- Qgd?:
14.5nC?
- Tj?min?max:
-40.0°C?150.0°C
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
INFINEO |
8000 |
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詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
INFINEO |
7000 |
詢價 | |||
Infineon |
24+ |
TO220-3 |
17900 |
MOSFET管 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
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SMD |
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Infineon |
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NA |
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Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 |
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