isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.19 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

文件：466.4 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages

INFINEON

英飛凌

N-channel, normal level

文件：835.38 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages

INFINEON

英飛凌

N-channel, normal level

文件：835.38 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages

INFINEON

英飛凌

N 溝道功率 MOSFET

75V OptiMOS?技術(shù)專注于同步整流應(yīng)用?；陬I(lǐng)先的80V技術(shù)，這些75V產(chǎn)品同時(shí)具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。 ? 針對同步整流進(jìn)行技術(shù)優(yōu)化\n? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (RDs(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RohS - 無鹵素\n? MSL3 評級(jí)\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少所需的并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計(jì);

Infineon

英飛凌