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IPI086N10N3	文件：305.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPI086N10N3G	文件：480.83 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) 文件：480.83 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPI086N10N3G	文件：784.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：784.37 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPI086N10N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道功率 MOSFET 英飛凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術(shù)相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質(zhì)因數(shù)）方面均降低了30％。 ? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (R Ds(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RoHS 標準 - 無鹵素\n? MSL1 評級 2\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計;	Infineon 英飛凌	Infineon

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