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    IPD80R4K5P7

    效率和散熱性能的基準

    800V CoolMOS? P7超結MOSFET系列完全適合低功率SMPS應用,可完全滿足性能,易用性和性價比等市場需求。它主要側重于反激式應用,包括適配器和充電器,LED驅動器,音頻SMPS,輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比,這一新產(chǎn)品系列可提供高達0.6%的效率增益;與典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品想相比,MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過降低開關損耗和改善DPAK R DS(on)產(chǎn)品,實現(xiàn)更高功率密度的設計??偠灾?,這有助于客戶節(jié)省物料成本,減少組裝工作量。 ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 DPAK R DS(on) 280mΩ\n? 同類中較為出色的 V (GS)th,3V,和最小 V (Gs)th 變動 ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護,最高可達 2 級(HBM)\n? 出色的質量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢:\n? 比之CoolMOS C3,此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益,MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設計、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅動和設計\n;

    Infineon

    英飛凌

    IPD80R4K5P7

    800V CoolMOS? P7 Power Transistor

    文件:998.41 Kbytes 頁數(shù):13 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IPN80R4K5P7

    800V CoolMOS? P7 Power Transistor

    文件:1.03795 Mbytes 頁數(shù):13 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IPU80R4K5P7

    800V CoolMOS? P7 Power Transistor

    Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

    文件:1.25429 Mbytes 頁數(shù):13 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    技術參數(shù)

    • OPN:

      IPD80R4K5P7ATMA1

    • Qualification:

      Non-Automotive

    • Package name:

      PG-TO252-3

    • VDS max:

      800 V

    • RDS (on) @10V max:

      4500 m?

    • ID @25°C max:

      1.5 A

    • QG typ @10V:

      4 nC

    • Special Features:

      price/performance

    • Polarity:

      N

    • Operating Temperature min:

      -55 °C

    • Operating Temperature max:

      150 °C

    • VGS(th) min:

      2.5 V

    • VGS(th) max:

      3.5 V

    • Technology:

      CoolMOS? P7

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IPD80R4K5P7供應商 更新時間2026-1-23 10:04:00

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