效率和散熱性能的基準(zhǔn)

800V CoolMOS? P7超結(jié)MOSFET系列完全適合低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能，易用性和性價(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式應(yīng)用，包括適配器和充電器，LED驅(qū)動(dòng)器，音頻SMPS，輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比，這一新產(chǎn)品系列可提供高達(dá)0.6％的效率增益；與典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品想相比，MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過降低開關(guān)損耗和改善DPAK R DS（on）產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計(jì)?？偠灾?，這有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。 ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ\n? 同類中較為出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 變動(dòng) ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護(hù)，最高可達(dá) 2 級(jí)（HBM）\n? 出色的質(zhì)量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設(shè)計(jì)、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)\n;

Infineon

英飛凌

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/80r2k4p7/marking.html">80R2K4P7；Package：PG-TO252-3；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

文件：966.55 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages

INFINEON

英飛凌

800V CoolMOS? P7 Power Transistor

文件：1.044579 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages

INFINEON

英飛凌

800V CoolMOS? P7 Power Transistor

文件：956.91 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages

INFINEON

英飛凌

800V CoolMOS? P7 Power Transistor

文件：1.22508 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages

INFINEON

英飛凌