isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

無錫固電

絲印：80R2K0P7；Package：PG-TO252-3；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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效率和散熱性能的基準

800V CoolMOS? P7超結(jié)MOSFET系列完全適合低功率SMPS應用，可完全滿足性能，易用性和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式應用，包括適配器和充電器，LED驅(qū)動器，音頻SMPS，輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比，這一新產(chǎn)品系列可提供高達0.6％的效率增益；與典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品想相比，MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過降低開關損耗和改善DPAK R DS（on）產(chǎn)品，實現(xiàn)更高功率密度的設計?？偠灾@有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。 ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ\n? 同類中較為出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 變動 ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護，最高可達 2 級（HBM）\n? 出色的質(zhì)量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢:\n? 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設計、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅(qū)動和設計\n;

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800V CoolMOSa P7 Power Device

Features ? Best-in-class FOM RDS(on) * Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss ? Best-in-class DPAK RDS(on) ? Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V ? Integrated Zener Diode ESD protection ? Fully optimized portfolio

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800V CoolMOS? P7 Power Transistor

800V CoolMOSa P7 Power Transistor Potential applications ? ?Recommended for hard and soft switching flyback topologies for LED ? ?Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and ? ?Industrial power. Also suitable for PFC stage in Consumer applications ? ?andSolar.

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800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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