絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/70s360p7/marking.html">70S360P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?Excellentthermalbehavior ?IntegratedESDprotectiondiode ?Lowswitchinglosses(Eoss) ?Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits ?Costcompetitivetechnology ?Lowertemperature ?HighESDruggedness ?Enablesefficiencygainsath

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英飛凌對反激式拓撲的解答

順應(yīng)當下和未來反激式拓撲產(chǎn)品的趨勢而開發(fā)——全新 700V CoolMOS? P7?超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品具有比目前所使用超結(jié)技術(shù)更強的性能，適用于手機充電器或筆記本電\n ? 效率和熱性能\n? 使用方便\n? 電磁干擾行為 ? 極低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off\n? 高性能技術(shù) ? 低開關(guān)損耗 (E oss)\n? 高效率\n? 優(yōu)異的熱性能\n\n? 支持高速開關(guān)\n? 集成保護齊納二極管\n? V (GS)th 優(yōu)化至 3V，±0.5V 窄容差\n? 成熟的產(chǎn)品組合\n\n優(yōu)勢:\n? 成本極具競爭力的技術(shù)\n? 與 C6 技術(shù)相比，效率增益高達 2.4%，器件溫度低 12K\n? 更高開關(guān)速度實現(xiàn)更高效率增益\n? 更低的 BOM 成本縮減磁性元件尺寸\n? 高 ESD 穩(wěn)健性，達到 HBM 2 級水平\n? 輕松驅(qū)動和設(shè)計導(dǎo)入\n? 支持更小的外;

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