絲印：70S1K4P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?Excellentthermalbehavior ?IntegratedESDprotectiondiode ?Lowswitchinglosses(Eoss) ?Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits ?Costcompetitivetechnology ?Lowertemperature ?HighESDruggedness ?Enablesefficiencygainsath

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英飛凌對(duì)反激式拓?fù)涞慕獯?/p>

順應(yīng)當(dāng)下和未來反激式拓?fù)洚a(chǎn)品的趨勢(shì)而開發(fā)——全新 700V CoolMOS? P7?超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品具有比目前所使用超結(jié)技術(shù)更強(qiáng)的性能，適用于手機(jī)充電器或筆記本電\n ? 效率和熱性能\n? 使用方便\n? 電磁干擾行為 ? 極低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off\n? 高性能技術(shù) ? 低開關(guān)損耗 (E oss)\n? 高效率\n? 優(yōu)異的熱性能\n\n? 支持高速開關(guān)\n? 集成保護(hù)齊納二極管\n? V (GS)th 優(yōu)化至 3V，±0.5V 窄容差\n? 成熟的產(chǎn)品組合\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 成本極具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)\n? 與 C6 技術(shù)相比，效率增益高達(dá) 2.4%，器件溫度低 12K\n? 更高開關(guān)速度實(shí)現(xiàn)更高效率增益\n? 更低的 BOM 成本縮減磁性元件尺寸\n? 高 ESD 穩(wěn)健性，達(dá)到 HBM 2 級(jí)水平\n? 輕松驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)導(dǎo)入\n? 支持更小的外;

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700V CoolMOS? P7 Power Transistor

MOSFET 700V CoolMOSa P7 Power Transistor CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS? P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive app

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