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    IPD60R460CE

    600V CoolMOS? CE Power Transistor

    文件:1.24172 Mbytes 頁數(shù):16 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IPD60R460CE

    600V CoolMOS? CE Power Transistor

    文件:1.77461 Mbytes 頁數(shù):17 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IPD60R460CE

    N-Channel MOSFET Transistor

    文件:335.63 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    ISC

    無錫固電

    IPD60R460CE

    500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

    CoolMOS?CE適用于硬開關應用和軟開關應用,作為現(xiàn)代超結,它可以提供低導通和低開關損耗,進而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結合了最佳的 RDS (on)和封裝,適用于手機和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好,反向恢復電荷(Q rr)較低\n? 經過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關損耗\n? 兼適于硬開關和軟開關\n? 易掌控的轉換行為\n? 提高效率,進而降低功耗\n? 減輕設計工作量\n? 使用簡便;

    Infineon

    英飛凌

    技術參數(shù)

    • OPN:

      IPD60R460CEAUMA1

    • Qualification:

      Non-Automotive

    • Package name:

      PG-TO252-3

    • VDS max:

      600 V

    • RDS (on) @10V max:

      460 m?

    • ID @25°C max:

      13.1 A

    • QG typ @10V:

      28 nC

    • Special Features:

      price/performance

    • Polarity:

      N

    • Operating Temperature min:

      -40 °C

    • Operating Temperature max:

      150 °C

    • VGS(th) min:

      2.5 V

    • VGS(th) max:

      3.5 V

    • Technology:

      CoolMOS? CE

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    三年內
    1983
    只做原裝正品
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    INFINE0N
    21+
    PG-TO252-3
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    Infineon(英飛凌)
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    PG-TO252-3
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    Infineon(英飛凌)
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    INFINEON/英飛凌
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    Infineon/英飛凌
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    PG-TO252-3
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    PG-TO252-3
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    INFINEON/英飛凌
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    PG-TO252-3
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    INFINEON/英飛凌
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    更多IPD60R460CE供應商 更新時間2026-1-21 15:08:00

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