600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Features ? Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss ? Very high commutation ruggedness ? Easy to

文件：2.1368 Mbytes 頁數(shù)：17 Pages

INFINEON

英飛凌

N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? Fast switching ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.45? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

文件：335.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.21626 Mbytes 頁數(shù)：17 Pages

INFINEON

英飛凌

500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)所提供的器件具備了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 ? 易于控制開關(guān)行為\n? 非常高的換流堅固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實踐驗證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢:\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引;

Infineon

英飛凌