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首頁(yè) >IPD60R400CE>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPD60R400CE	文件：3.28629 Mbytes Page：41 Pages	120 W 24 V 3.5 A 12 V 3 A SMPS demonstrator with IDP2308 Features of IDP2308 Integrated 600 V start-up cell Integrated floating driver for HB high-side MOSFET Multi-mode operation of PFC Integrated PIT regulator for PFC controller Active X-CAP discharge function supports low stand-by power consumption Comprehensive set of PFC/LLC protection featur 文件：3.28629 Mbytes 頁(yè)數(shù)：41 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R400CE	文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IPD60R400CE	文件：1.35155 Mbytes Page：17 Pages	600V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.35155 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R400CE	文件：1.77183 Mbytes Page：17 Pages	600V CoolMOS? CE Power Transistor 文件：1.77183 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R400CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET CoolMOS?CE適用于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它可以提供低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結(jié)合了最佳的 RDS （on）和封裝，適用于手機(jī)和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS （on）和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲(chǔ)存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好，反向恢復(fù)電荷（Q rr）較低\n? 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開(kāi)關(guān)損耗\n? 兼適于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)\n? 易掌控的轉(zhuǎn)換行為\n? 提高效率，進(jìn)而降低功耗\n? 減輕設(shè)計(jì)工作量\n? 使用簡(jiǎn)便;	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPD60R400CEAUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
400 m?
ID @25°C max：
14.7 A
QG typ @10V：
32 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS? CE

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