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首頁 >IPD60R380C6>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPD60R380C6	文件：2.068659 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS? C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting 文件：2.068659 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R380C6	文件：335.95 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Fast switching ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.38? ·Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPD60R380C6	文件：1.41181 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.41181 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD60R380C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET CoolMOS? C6/E6系列將 Infineon 作為領(lǐng)先的SJ MOSFET供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)與一流的創(chuàng)新相結(jié)合。這些器件提供了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。極低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗使開關(guān)應(yīng)用更加高效、緊湊、輕便和涼爽。600V CoolMOS ? C6 可替代 600V CoolMOS ? C3650V CoolMOS ? C6 可替代 650V CoolMOS ? C3 ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于品質(zhì)因數(shù) (R DS(on)* Q g 和 E oss) 非常低，損耗也非常低\n? 非常高的換向堅(jiān)固性\n? 易于使用\n? 與 C3 相比，輕載效率更高\(yùn)n? 憑借久經(jīng)考驗(yàn)的 CoolMOS ?品質(zhì)和高體二極管堅(jiān)固性，實(shí)現(xiàn)了出色的可靠性\n? 與前幾代 CoolMOS ?相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、更輕便、更散熱;	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

ID max：
10.6 A
IDpulsmax：
30 A
Ptotmax：
83 W
QG：
32 nC
QG(typ @10V)：
32 nC
RDS (on)max：
380 m?
RDS (on)(@10V) max：
380 m?
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
1.5 K/W
Rth：
1.5 K/W
VDSmax：
600 V
VGS(th)：
2.5 V to 3.5 V
Mounting：
SMT
Package：
DPAK
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.58

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