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首頁 >IPD40DP06NM>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPD40DP06NM	文件：890.35 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/40dp06nm/marking.html">40DP06NM；Package：PG-TO252-3；MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V Features ? P-Channel ? Very low on-resistance RDS(on) ? 100 avalanche tested ? Normal Level ? Enhancement mode ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：890.35 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD40DP06NM	文件：300 bytes Page：1 Pages	常規(guī)和邏輯電平的 P 通道 MOSFET，降低中低功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)復(fù)雜性 OptiMOS? P-channel MOSFETs 60V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interf ? Most products qualified to AEC Q101\n? VDS = -60V\n? Wide RDS(on) range\n? Normal Level and Logic Level availability\n\n優(yōu)勢(shì):\n? Easy interface to MCU\n? Improved efficiency at low loads due to low Qg\n? Fast switching\n? Avalanche ruggedness;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPD50N04S4-08	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	英飛凌上傳：深圳權(quán)泰科技有限公司	英飛凌
IPD50N04S4L-08	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	INFINEON 英飛凌上傳：深圳安亭電子科技有限公司	INFINEON
IPD50N04S4L08ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	原廠封裝	INFINEON 英飛凌上傳：深圳市朱博士電子科技有限公司	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPD40DP06NMATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
-60 V
RDS (on) @10V max：
400 m?
ID @25°C max：
-4.3 A
QG typ @10V：
6.7 nC
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
OptiMOS?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IPD40DP06NM供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:01:00

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