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IPD26N06S2L-35	文件：154.84 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：154.84 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD26N06S2L-35	文件：988.83 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：988.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
IPD26N06S2L-35	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 溝道、最大 35 mΩ、汽車 MOSFET、DPAK、OptiMOS ? ? ? N-channel - Enhancement mode\n ? ? Automotive AEC Q101 qualified\n ? ? MSL1 up to 260°C peak reflow\n ? ? 175°C operating temperature\n ? ? Green package (lead free)\n ? ? Ultra low Rds(on)\n ? ? 100% Avalanche tested\n\n優(yōu)勢:\n? world's lowest RDS at 55V (on)? in planar technology\n ? highest;	Infineon 英飛凌	Infineon
SPD26N06S2L-35	文件：264.46 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：264.46 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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