N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

絲印：068N10N；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET

Features ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? 175 °C operating temperature ? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ?(VGS = 10V) ?VDS (V) =100V ?ID =90A ?RDS(ON)

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UMW

友臺半導體

OptiMOS3 Power-Transistor

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INFINEON

英飛凌

N-channel, normal level

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INFINEON

英飛凌

N-channel, normal level

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INFINEON

英飛凌

N 溝道功率 MOSFET

英飛凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質因數）方面均降低了30％。 ? 優(yōu)異的開關性能\n? 世界較低的 (R Ds(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產品（FOM）\n? 符合 RoHS 標準 - 無鹵素\n? MSL1 評級 2\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯\n? 極低的板空間消耗\n? 產品易于設計;

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