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    IPC313N10N3R

    適用于工業(yè)和消費應用的功率 MOSFET 裸片產(chǎn)品

    英飛凌的 OptiMOS ? 100V、120V 和 150V 系列結合了非常低的導通電阻 (R DS(on)) 和最快的開關行為,為廣泛的工業(yè)和消費應用提供出色的性能。從大電流電機控制應用到快速開關 DC-DC 轉換器或 D 類音頻放大器,英飛凌的產(chǎn)品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空間要求。 ? 出色的開關性能\n? 優(yōu)異的 R DS(on) 和 FOM\n? 低 Q g 和 Q gd;

    Infineon

    英飛凌

    IPC313N10N3R

    Power MOS Transistor Chip

    文件:956.7 Kbytes 頁數(shù):3 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IPC313N10N3RX1SA2

    Package:模具;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:TRENCH \u003e=100V

    INFINEON

    英飛凌

    IPC50N04S5L-5R5

    TDSON-8

    INFINEON/英飛凌

    IPD031N06L3G

    TO252

    技術參數(shù)

    • RDS (on)(@10V) max:

      100 m?

    • RDS (on):

      1.9 m?

    • VBRDSSmax:

      100 V

    • VDS:

      100 V

    • VDSmax:

      100 V

    • VGS(th):

      2 V to 3.5 V

    • Thickness:

      220

    • Technology:

      OptiMOS? 3

    • Polarity:

      N

    • Mode:

      Enhancement

    • Die Size(Y):

      5.2 mm

    • Die Size(Area):

      31.26 mm2

    • Die Size(X):

      6 mm

    • Output Drivers:

      1

    • Budgetary Price €/1k:

      2.52

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    Infineon Technologies
    25+
    30000
    原裝現(xiàn)貨,支持實單
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    更多IPC313N10N3R供應商 更新時間2026-1-22 15:01:00

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