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IPC302N25N3	文件：114.04 Kbytes Page：3 Pages	Power MOS Transistor Chip 文件：114.04 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPC302N25N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	適用于工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的功率 MOSFET 裸片產(chǎn)品憑借 OptiMOS ? 200V 和 250V，英飛凌繼續(xù)提供具有獨(dú)特性能的一流導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。領(lǐng)先的 R DS(on) 和品質(zhì)因數(shù) (FOM) 特性可降低功率損耗、提高整體效率并增加功率密度。200V 和 250V 產(chǎn)品系列針對 110V AC 網(wǎng)絡(luò)照明、HID 燈、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和以太網(wǎng)供電 (PoE) 等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 ? 業(yè)界最低的 R DS(on)\n? 最低的 Qg 和 Qgd\n? 全球最低的 FOM;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPC302N25N3A	文件：593.69 Kbytes Page：4 Pages	N-channel enhancement mode 文件：593.69 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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更多IPC302N25N3供應(yīng)商更新時間2026-1-20 15:01:00