Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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OptiMOSTM3 Power MOS Transistor Chip

DESCRIPTION ? N-channel enhancement mode ? For additional characteristic and max ratings refer to the datasheet of IPP048N12N3 G 1) ? AQL 0.65 for visual inspection according to failure catalogue ? Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883C ? Die bond: soldered or glue

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飛凌的 OptiMOS ?100V、120V 和150V 系列導(dǎo)通電阻 (R DS (on))極低，具有極快的開關(guān)性能，可為各種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供出色的性能。從高電流電機(jī)控制應(yīng)用到快速開關(guān) DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 D 類音頻放大器，英飛凌的產(chǎn)品性能卓越，效率極高，空間要求極小。 ? 出色的開關(guān)性能\n? 出色的R DS（on）和FOM\n? 極低的 Qg和 Q gd\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)\n? 環(huán)保;

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適用于工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的功率 MOSFET 裸片產(chǎn)品

英飛凌的 OptiMOS ?100V、120V 和150V 系列導(dǎo)通電阻 (R DS (on))極低，具有極快的開關(guān)性能，可為各種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供出色的性能。從高電流電機(jī)控制應(yīng)用到快速開關(guān) DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 D 類音頻放大器，英飛凌的產(chǎn)品性能卓越，效率極高，空間要求極小。 ? 出色的開關(guān)性能\n? 出色的R DS（on）和FOM\n? 極低的 Qg和 Q gd\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)\n? 環(huán)保;

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