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IPB80N08S2L-07	文件：373.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- VDSS=75V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·High current switching applications ·DC-DC converter and motor drive applications 文件：373.26 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB80N08S2L-07	文件：154.91 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS? Power-Transistor 文件：154.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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IPB80N08S2L-07	文件：363.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：363.12 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB80N08S2L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	75 V、N 溝道、最大 6.8 mΩ、汽車 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ? ? N-channel Logic Level - Enhancement mode\n? Automotive AEC Q101 qualified\n? MSL1 up to 260°C peak reflow\n? 175°C operating temperature\n? Green package (lead free)\n? Ultra low Rds(on)\n? 100% Avalanche tested\n\n優(yōu)勢:\n? world's lowest RDS at 75V (on)? in planar technology\n? highest current ;	Infineon 英飛凌	Infineon

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