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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB65R110CFD7	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成快速體二極管的 650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET 是諧振高功率拓?fù)涞耐昝肋x擇英飛凌的 650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封裝，非常適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)洌绶?wù)器、電信、太陽能和電動(dòng)汽車充電站，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，它可以顯著提高效率。作為 CFD2 SJ MOSFET 系列的后續(xù)產(chǎn)品，它具有降低的柵極電荷、改善的關(guān)斷行為和降低的反向恢復(fù)電荷，可實(shí)現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。 ? CoolMOS ? 7 系列\(zhòng)n? 低存儲(chǔ)能量 COSS\n? 經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的 CoolMOS ?質(zhì)量\n? 自 1998 年以來的 CoolMOS ?;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB65R110CFD7	文件：1.28016 Mbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r110f7/marking.html">65R110F7；Package：PG-TO263-3；650V CoolMOS? CFD7 SJ Power Device 文件：1.28016 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPP65R110CFD7	文件：1.06062 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device Features ? Ultra-fast body diode ? 650V break down voltage ? Best-in-class RDS(on) ? Reduced switching losses ? Low RDS( dependency over temperature 文件：1.06062 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPW65R110CFD7	文件：1.39045 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS? CFD7 SJ Power Device 文件：1.39045 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

ID (@25°C) max：
22 A
IDpulsmax：
82 A
Ptotmax：
114 W
QG：
41 nC
QG(typ @10V)：
41 nC
RDS (on)max：
110 m?
RDS (on)(@10V) max：
110 m?
VDSmax：
650 V
VGS(th)：
4 V
Mounting：
SMT
Package：
D2PAK
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
1.58

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳市盈慧通電子有限公司	IPB65R110CFD7	INFINEON/英飛凌	2511	TO263-3	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)
萬三科技(深圳)有限公司	IPB65R110CFD7	Infineon(英飛凌)	25+	封裝	500000	源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯	詢價(jià)
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上海意淼電子科技有限公司	IPB65R110CFD7ATMA1	INFINEON	23+	K-B	9000	只有原裝,請(qǐng)來電咨詢	詢價(jià)
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更多IPB65R110CFD7供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 15:15:00

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