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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB65R090CFD7	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成快速體二極管的 650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET 是諧振高功率拓?fù)涞耐昝肋x擇英飛凌的 650V CoolMOS ? CFD7 超結(jié) MOSFET IPB65R090CFD7 采用 D2PAK 封裝，非常適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)?，例如服?wù)器、電信、太陽能和電動(dòng)汽車充電站，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，它可以顯著提高效率。作為 CFD2 SJ MOSFET 系列的后續(xù)產(chǎn)品，它具有降低的柵極電荷、改善的關(guān)斷行為和降低的反向恢復(fù)電荷，可實(shí)現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。 ? CoolMOS ? 7 系列\(zhòng)n? 低柵極電荷\n? 低存儲(chǔ)能量 COSS\n? 低 Qrr\n? 經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的 CoolMOS ?質(zhì)量\n? 自 1998 年以來的 CoolMOS ?;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB65R090CFD7	文件：1.29769 Mbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r090f7/marking.html">65R090F7；Package：PG-TO263-3；650V CoolMOS? CFD7 SJ Power Device 文件：1.29769 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPP65R090CFD7	文件：1.06453 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device Features ? Ultra-fast body diode ? 650V break down voltage ? Best-in-class RDS(on) ? Reduced switching losses ? Low RDS(on) dependency over temperature 文件：1.06453 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPW65R090CFD7	文件：1.40176 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device Features ? Ultra-fast body diode ? 650V break down voltage ? Best-in-class RDS(on) ? Reduced switching losses ? Low RDS(on) dependency over temperature 文件：1.40176 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

ID (@25°C) max：
25 A
IDpulsmax：
107 A
Ptotmax：
127 W
QG：
53 nC
QG(typ @10V)：
53 nC
RDS (on)max：
90 m?
RDS (on)(@10V) max：
90 m?
VDSmax：
650 V
VGS(th)：
4 V
Mounting：
SMT
Package：
D2PAK
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
1.95

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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