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首頁 >IPB60R600P6>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB60R600P6	文件：2.85536 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V CoolMOS? P6 Power Transistor Applications ? ?PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages ? ?for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD&PDPTV, Lighting, Server, Telecom ? ?and UPS. 文件：2.85536 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB60R600P6	文件：189.2 Kbytes Page：2 Pages	絲印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor ? FEATURES ? With To-263(D2PAK) package ? Low input capacitance and gate charge ? Low gate input resistance ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ? APPLICATIONS ? Switching applications 文件：189.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB60R600P6	文件：2.40922 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.40922 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB60R600P6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET 英飛凌 CoolMOS ? P6 超結(jié) MOSFET 系列旨在實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率，同時易于設(shè)計。CoolMOS ? P6 縮小了專注于提供終極性能的技術(shù)與更注重易用性的技術(shù)之間的差距。 ? 降低柵極電荷 (Q g)\n? 提高 V th\n? 良好的體二極管耐用性\n? 優(yōu)化的集成 R g\n? 從 50V/ns 開始改善 dv/dt\n? CoolMOS ?品質(zhì)，擁有超過 12 年的超結(jié)技術(shù)制造經(jīng)驗;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB60R600P6_15	文件：2.40922 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.40922 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

ID max：
7.3 A
IDpulsmax：
18 A
Ptotmax：
63 W
QG：
12 nC
QG(typ @10V)：
12 nC
RDS (on)max：
600 m?
RDS (on)(@10V) max：
600 m?
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
2 K/W
Rth：
2 K/W
VDSmax：
600 V
VGS(th)：
3.5 V to 4.5 V
Mounting：
SMT
Package：
D2PAK (TO-263)
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市安富世紀電子有限公司	IPB60R600P6	INFINEON	23+	TO-263	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IPB60R600P6	INFINEON	23+	TO-263	7000		詢價
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更多IPB60R600P6供應商更新時間2026-1-18 13:02:00

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