絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/60c7099/marking.html">60C7099；Package：PG-TO263；600V CoolMOS? C7 Power Transistor

文件：1.21091 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages

INFINEON

英飛凌

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：189.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

CoolMOS ? C7 超結(jié) MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓?fù)渲刑峁┮涣鞯男阅?/p>

600V CoolMOS? C7 超級(jí)結(jié)（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可減少大約 50% 的關(guān)斷損耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中可提供卓越的性能。\n CoolMOS? C7 提供的更高效率有益于效率和總體擁有成本（TCO）應(yīng)用，如超數(shù)據(jù)中心和高效率電信整流器（>96%）。在 PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，可獲得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，可獲得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服務(wù)器 PSU，在 TO-247 4 針套件內(nèi)采用 600V CoolMOS? ? 開關(guān)損耗參數(shù)減少，如 Q G、C oss、E oss\n? 最佳品質(zhì)因數(shù) Q G*R DS(on)\n? 開關(guān)頻率增加\n? 世界上最佳的 R (on)*A\n? 堅(jiān)固體二極管\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 可在不損失效率的情況下增加開關(guān)頻率\n? 為輕負(fù)載和滿載效率測(cè)量顯示關(guān)鍵參數(shù)\n? 開關(guān)頻率加倍會(huì)將磁性元件的尺寸減半\n? 對(duì)于相同的 R DS(on)，包裝更小\n? 可用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的更多位置;

Infineon

英飛凌

N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRIPTION ? Combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.099? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perfo

文件：338.28 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.93309 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages

INFINEON

英飛凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.59508 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages

INFINEON

英飛凌