絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

絲印：065N10N；Package：TO-263；100 V N-Channel MOSFET

Features ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ? VDS=100V ? ID(at VGS=10V)=80A ? RDS(ON) (at VGS=10V)

文件：884.2 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages

UMW

友臺半導(dǎo)體

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.20022 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages

INFINEON

英飛凌

N 溝道功率 MOSFET

英飛凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術(shù)相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質(zhì)因數(shù)）方面均降低了30％。 ? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (R Ds(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) - 無鹵素\n? MSL1 評級 2\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計;

Infineon

英飛凌