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IPB055N08NF2S	文件：958.43 Kbytes Page：11 Pages	絲印：055N08NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor Features ? Optimized for a wide range of applications ? N-Channel, normal level ? 100 avalanche tested ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：958.43 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB055N08NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ? 2 單 N 溝道功率 MOSFET 80 V，采用 D2PAK 封裝 \n優(yōu)勢:\n? Multi-vendor compatibility\n? Right-fit products\n? Supports a wide variety of applications\n? Standard pinout allows for drop-in replacement\n? Increased current carrying capability;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPD055N08NF2S	文件：912.89 Kbytes Page：11 Pages	nullStrongIRFETTM 2 Power-Transistor Features ? Optimized for a wide range of applications ? N-Channel, normal level ? 100 avalanche tested ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：912.89 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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更多IPB055N08NF2S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-2-29 11:17:00