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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB04N03LAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB04N03LB	文件：283.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor 文件：283.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD04N03L	文件：388.35 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Buck converter series 文件：388.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPD04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Package Marking ? Qualified according to JEDEC1) for target applications ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：434.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPB04N03LAT
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IPB04N03LAT	Infineon	24+	TO-263	7500		詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IPB04N03LAT	INFINE0N	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IPB04N03LAT	Infineon Technologies	21+	PG-TO263-3-2	1000	100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IPB04N03LAT	Infineon	1931+	N/A	615	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
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更多IPB04N03LAT供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:30:00

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