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IPB049NE7N3	文件：264.09 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：264.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB049NE7N3G	文件：267.11 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：267.11 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB049NE7N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道功率 MOSFET 75V OptiMOS?技術(shù)專注于同步整流應(yīng)用?；陬I(lǐng)先的80V技術(shù)，這些75V產(chǎn)品同時(shí)具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。 ? 針對(duì)同步整流進(jìn)行技術(shù)優(yōu)化\n? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (RDs(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RohS - 無鹵素\n? MSL3 評(píng)級(jí)\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少所需的并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計(jì);	Infineon 英飛凌	Infineon
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