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IPB027N10N5	文件：1.00806 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS? 5 Power-Transistor, 100 V 文件：1.00806 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB027N10N5	文件：1.1911 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.1911 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB027N10N5	文件：244.28 Kbytes Page：2 Pages	絲印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.28 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB027N10N5	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道功率 MOSFET OptiMOS? 5 100V 功率 MOSFETs 專為通信和服務器電源中的同步整流而設計。此外，這些器件還可以在其他工業(yè)應用中使用，例如太陽能、低壓驅動器和適配器。新型 OptiMOS? 5 100V MOSFET 采用七種不同封裝，提供了行業(yè)內(nèi)較低 R DS(on)。 ? 針對同步整流進行優(yōu)化\n? 非常適合高開關頻率\n? 輸出電容降低高達 44%\n? 與前一代相比降低高達 43%\n\n優(yōu)勢:\n? 高系統(tǒng)效率\n? 降低開關和通態(tài)損耗\n? 減少并聯(lián)\n? 增加功率密度\n? 低電壓過沖;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB027N10N5_16	文件：1.00806 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS? 5 Power-Transistor, 100 V 文件：1.00806 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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